Разница между скоростью ОЗУ и задержкой CAS

Производительность памяти (DRAM) — это соотношение между скоростью и задержкой. Несмотря на то, что они тесно связаны между собой, эта связь не совсем то, что вы могли бы подумать. Рассмотрим, как скорость и задержка связаны на техническом уровне и как вы можете использовать эту информацию для оптимизации производительности памяти.

Сколько памяти необходимо вашему компьютеру?Прочитайте здесь.

Восприятие задержки и реальная задержка

Восприятие

•Многие пользователи считают, что CAS-задержка точно отражает реальную задержку.
•Многие пользователи также уверены в том, что, поскольку CAS-задержки увеличиваются с увеличением скорости, часть скорости обнуляется.

Реальность

•Инженеры, специализирующиеся на полупроводниках, знают, что CAS-задержки неточно отражают производительность.

•Задержка точнее всего измеряется в наносекундах.
•По мере увеличения скорости задержки сокращаются или остаются примерно на том же уровне, т. е. более высокие скорости обеспечивают лучшую производительность.

Разница между восприятием задержки и реальной задержкой сводится к способу ее определения и измерения.

Два гоночных автомобиля для демонстрации скорости памяти и CAS-задержки

Парадокс задержки

Задержка часто понимается неправильно, потому что в брошюрах с продукцией и сравнительным характеристикам она обозначается как CAS-задержка (CL), которая составляет лишь половину уравнения задержки. Поскольку номинальные данные CL указывают только общее количество тактовых циклов, они не имеют ничего общего с продолжительностью каждого тактового цикла и поэтому не должны экстраполироваться как единственный показатель производительности задержки.

Оценка задержки модулей в наносекундах позволяет определить, действительно ли один модуль откликается быстрее, чем другой. Чтобы вычислить задержку модуля, умножьте длительность тактового цикла на общее количество тактовых циклов. Эти данные указаны в официальной технической документации в спецификации модуля. Вот как выглядят эти расчеты.

Технология

Скорость модуля (МП/с)

Длительность цикла синхронизации (нс)

CAS-задержка

Задержка (нс)

SDR

100

8,00

3

24,00

SDR

133

7,50

3

22,50

DDR

335

6,00

2,5

15,00

DDR

400

5,00

3

15,00

DDR2

667

3,00

5

15,00

DDR2

800

2,50

6

15,00

DDR3

1333

1,50

9

13,50

DDR3

1600

1,25

11

13,75

DDR4

1866

1,07

13

13,93

DDR4

2133

0,94

15

14,06

DDR4

2400

0,83

17

14,17

DDR4

2666

0,75

18

13,50

Что такое задержка и уравнение задержки?

На базовом уровне задержка относится к разнице между вводом команды и ее выполнением. Задержка является промежутком между этими двумя событиями. Когда контроллер памяти направляет ей команду для доступа к определенному месту, данные должны пройти через несколько тактовых циклов в стробе адреса столбца (CAS), чтобы добраться до нужного местоположения и завершить команду. Исходя из этого, существует две переменные, которые определяют задержку модуля:

•Общее количество тактовых циклов, через которые должны пройти данные (указывается как CAS-задержка или CL в спецификациях).
•Продолжительность каждого тактового цикла (измеренная в наносекундах).

Комбинация этих двух переменных позволяет нам получить уравнение задержки:

задержка (нс) = длительность тактового цикла (нс) x количество тактовых циклов

В истории технологии памяти по мере увеличения скорости длительность тактовых циклов уменьшалась. Это приводило к более низким задержкам по мере того, как технология взрослела, даже несмотря на то, что для этого требуется больше тактовых циклов. Поскольку скорости растут, а задержки остаются примерно на том же уровне, вы можете достичь более высокого уровня производительности, используя более новую, более быструю и энергоэффективную память.

На этом этапе обсуждения мы должны отметить, что, когда мы говорим, что «задержки остаются примерно на том же уровне», мы имеем в виду, что, например, за время развития от DDR3-1333 до DDR4-2666 задержки начинались с 13,5 нс и возвращались к 13,5 нс. Хотя есть несколько случаев, когда задержка увеличилась, но прирост измерялся в долях наносекунды. В этом диапазоне скорости увеличились более чем на 1300 МП/с, что фактически компенсирует любой незначительный прирост задержки.

Что важнее: скорость или задержка?

Основываясь на глубоком инженерном анализе и обширном тестировании, проведенном в лаборатории испытаний производительности Crucial, ответ на этот извечный вопрос — скорость. В целом, по мере увеличения скоростей задержки оставались примерно на том же уровне, а значит, повышение скорости обеспечивает более высокий уровень производительности. Узнайте подробнее о совместимости памяти и других компонентов.

Оптимизируйте работу своего компьютера, установив память максимально возможного объема, использующую новейшую технологию памяти, и выбрав модули, скорость которых сопоставима с их экономичностью и актуальностью для приложений, которые вы используете.

 


© Корпорация Micron Technology, Inc., 2018. Все права защищены. Продукты, их технические характеристики, а также информация о них могут быть изменены без уведомления. Crucial и Micron Technology, Inc. не несут ответственности за ошибки и неточности в текстовых или фотографических материалах. Micron, логотип Micron, Crucial и логотип Crucial являются товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками Micron Technology, Inc. Все остальные товарные знаки являются собственностью соответствующих владельцев.